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胡锦涛考察光电国家实验室 了解大功率光纤激光器研发情况

2011-06-08 返回列表

      6月2日下午四点,在湖北考察工作的中共中央总书记、国家主席、中央军委主席胡锦涛莅临武汉光电国家实验室(筹)考察,听取实验室的科技成果汇报,勉励华中科技大学科研人员取得更多原创性科研成果,极大激发了全体师生全面提高教育质量、提升人才培养水平、增强科学研究能力、服务经济社会发展、推进文化传承创新,创建世界一流大学的激情和干劲。
  随后,胡锦涛走进光电实验室的信息光电子、能源光电子、激光科学与技术和生物医学光子学研究中心,考察了基于SOA的无源光网络接入扩容与距离延伸技术、超高精度色散管理技术、LED封装技术、大功率光纤激光器、纳米压印技术、相变存储器、生物显微层析成像等技术成果。每到一处,胡锦涛都仔细听取科研人员的研究成果汇报,看实验、问原理、话应用,了解最新科研进展。
  在光纤激光器演示台前,胡锦涛听取了该项目研究人员、中组部“千人计划”入选者闫大鹏教授关于大功率光纤激光器的研发、生产情况。
  胡锦涛一边观看电脑屏幕上的技术成果展示,一边听取了“长江学者”特聘教授刘文应用纳米压印技术制作DFB激光器的研究。


  在相变存储实验室,胡锦涛认真听取了“长江学者”特聘教授缪向水关于相变存储技术特点、取代闪存技术的优势及其产业化进展的汇报。他仔细询问了国内目前存储器产业现状、相变存储器将来大批量销售后闪存器会怎样、国际上相变存储器研究现状、国际上目前是否有相变存储器产品销售、相变存储器未来市场有多大等。

  在生物显微层析成像成果展台前,胡锦涛听取了光电国家实验室常务副主任、“长江学者”特聘教授骆清铭的研究汇报。

  考察中,总书记特别强调,科技创新,人才为先。要依托国家实验室这个平台,进一步聚集人才、培养人才,更好地发挥创新型科技人才的作用,努力在光电领域取得更多原创性科研成果,为中国光电领域的发展作出更大的贡献。

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